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怎么判断掺杂原子是否真实掺进去 急求资料!!关于氧化锌的半导体材料!!

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怎么判断掺杂原子是否真实掺进去 急求资料!!关于氧化锌的半导体材料!! 超晶胞中掺杂修改occupancy,在相同位置上做掺杂是不可以的,就我对MS中occupancy 的理解,它是使建立的模型更接近于真实的情况(因为有些晶体并不是化学计量比的,有些元素会出现空位,所以要调整occupancy在来使其接近真实 )。 如果要建立掺杂的模型,必

什么是超晶胞超晶胞指超晶胞雷暴 超晶胞雷暴是一种罕见的雷暴现象,由于在雷暴中心形成超晶胞状,因此被称为“超晶胞雷暴”,它常会会带有冰雹和龙卷风。 超晶胞雷暴是一个更强烈而且比较像龙卷风的正常的风暴中心。由于在雷暴中心形成超晶胞状,因此被称为“超

1个Si单晶胞中掺杂一个Si原子,Si的晶格常数是5.43...1除以一个硅单胞的原子数

急求资料!!关于氧化锌的半导体材料!!急求资料!!关于氧化锌的半导体材料!!半导体材料:氧化锌半导瓷 化学式:ZnO 基本概况:ZnO(氧化锌)是一种新型的化合物半导体材料Ⅱ一Ⅵ宽禁带(E =337eV)。在常温常压下其是一种非常典型

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:如何求取超晶胞中某一原子的化学势这个化学势应该跟富Ti和富O环境没太大的关系。 我看到有的文献上是这样求上面我列举例子的中S的化学势的:μS=μSO2-μO2,再麻烦你一下文献的这种做法是否可取,并帮忙做以下解释好吗,谢谢了。etree(站内联系TA)这种做法并没有问题。实际上,我觉

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